资讯导读：国产半导体设备与材料正积极打破国外垄断局面，迈入先进工艺制程领域。而中微则是国产装备的领军“旗手”，年底将正式敲定5nm刻蚀机台。这是国产半导体装备在先进工艺制程相继取得的重大突破。 中微半导体CEO、在中国有“半导体国产设备教父”之誉的尹志尧19日表示，中微将全力挺进2020年实现20亿元销售目标，并力争2050年达到50亿元跻身国际前五大半导体设备供应商。 与台积电、联电携手合作 这也是中微半导体首次在公开场合宣示未来数十年的长远营运目标。尹志尧对DIGITIMES独家采访时表示，两岸集成电路行业各拥优势，若相结合可共创双赢，他也透露目前中微与台湾地区台积电、联电展开先进制程合作。 中微目前在台积电已经顺利进驻超过200台反应机台，并与台积电展开7纳米工艺制程合作，未来将跨入下一世代5纳米合作；并且与联电展开14纳米工艺制程合作。目前，中微在台湾地区设有组装、测试的制造中心。 中微营运今年突破性爆发 中微半导体企业文化一向低调，但尹志尧19日首次公开其长期营运目标。尹志尧说，过去几年公司销售维持30-35%增长率，预期2017年今年将有突破性的增长将达80%年成长率，主要是在产品系列上有所突破增长。 目前中微半导体在全球各地已经建置共计582的反应台，并预期今年将增长至770台，年增长率约35%。目前中微半导体产品已经进入第三代10纳米、7纳米工艺，并进入晶圆厂验证生产阶段，即将进入下一世代5纳米、甚至3.5纳米工艺。 中微2017年销售将达11亿元人民币，在此基础上，未来十年将持续开发新产品，扩大市场占有率，尹志尧透露，中微目标2020年20亿元、2050年50亿元，并进入国际五强半导体设备公司。 他也很自豪的分享，目前包括许多国际大厂如意法半导体、博世半导体在MEMS领域TSV硅刻蚀都也采用中微机台。 日前中微半导体在北京也创下一个世界纪录，其机台设备从导入到进入大生产阶段仅需要42小时，而之前美国企业的保持纪录则是44.5小时。 国产化设备仍有挑战 尹志尧分析指出，中国国产设备具备发展潜力与实力，除了美国、日本以外，中国已经逐渐成为世界第三大半导体设备供应商，其中中国目前已经有34家装备业者，主要集中在北京、上海与沈阳等地。他预期，未来在刻蚀机领域国产率将达50%；MOCVD领域未来将达70%国产率。 他也点出，尽管目前很多国产机台业者，但能够批量生产进入市场的却相当有限。主要原因是业者虽然能够完成样机，但是光样机也只完成半导体生产要求很少的一个部分，从生产样机要到生产线上能可靠、好用又具成本优势，这是一个大挑战。 与科林打赢了8年官司 中微半导体作为国内半导体装备自主研发 “旗手”，近日也传出好消息。历时8年，与美国最大半导体设备供应科林研发股份公司（Lam Research）之间历时长达8年的专利官司，中微控告侵犯商业秘密案一审判决中赢得胜利。 中微于2010年12月向上海市第一中级人民法院提起诉讼，主张科林研发侵犯中微的商业秘密。中微主张，科林研发非法获取中微机密的技术文件和机密的反应腔内部照片。并掌握了科林研发安排其技术专家在证据保全时不恰当地察看和测量中微刻蚀机的内部结构，然后使用获取的信息于2009年向台湾地区智慧财产法院起诉中微专利侵权，试图影响中微产品进入台湾地区市场，但最终科林研发败诉。 而上海法院的判决也命令科林研发销毁其非法持有的照片，禁止科林研发和其员工披露、使用或允许他人使用中微的技术秘密，并要求科林研发赔偿中微法律费用90万元人民币。 尹志尧说，IP是半导体设备中最关键的部分，中微极尊重客户和竞争对手的知识产权，以及包括被视为皇冠上的钻石的商业资产 -- 商业秘密。但也期待中微的商业秘密也能获得同样的尊重。中微坚决不能容忍来自于任何竞争对手的侵权或其它不正当的商业竞争行为。
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