资讯导读：今年5月，三星宣布将其芯片代工业务（估价47.6亿美元）分拆成为新的部门，正式叫板紧随英特尔之后的台积电，并放话要坐稳全球第二大芯片制造商的宝座。并在三星在25日表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(186.3亿美元)，旨在扩大其在智能手机存储芯片和下一代显示屏的领先地位。 三星电子预计将在未来几天内以销售额和超过智能手机竞争对手苹果公司季度利润的方式，将取代英特尔长达25年的统治地位，成为全球最大的芯片制造商，这多亏了其最简单的产品之一的需求旺盛：小小的内存芯片。 智能手机、汽车和物联网等用途增加导致闪存芯片容量短缺，带动价格上涨，而三星是主要受益者。与此同时，英特尔主流的传统PC处理器市场继续缩小。 IBM PC的初步兴起使得英特尔在1992年站在半导体市场的顶峰，超过了当时领先品牌NEC。英特尔和三星的周四公布最新业绩，标着那个时代的结束。 韩国集团预期的半导体收入高达150亿美元，预计将超过美国竞争对手的第二季度的144亿美元的销售额预测。 CCS Insight的硅谷分析师Geoff Blaber说：“三星在记忆芯片中表现非常出色，而记忆芯片是种类繁多产品的重要组成部分，需求远远超过供应。” 信息技术研究Gartner的分析师预测，今年全球半导体收入将首次超过4000亿美元，主要是内存市场增长了52%，三星占据主导地位。 Gartner芯片分析师Andrew Norwood表示：“这使得三星首次超越英特尔跃居第一名，表现最佳。” 然而，分析人士却产生分歧，即是否正在发生一代人的转变，或者记忆芯片行业是否只是另一个繁荣萧条周期的顶峰。 Creative Strategies分析师Tim Bajarin表示：“无论三星收入增长使其今天如何超过英特尔，这将可能会很短暂。” 全球内存芯片行业在数据存储需求急剧上升的前所未有的超级循环中处于上风，这为三星和SK海力士等顶级公司带来了丰厚的收益，因为它们努力满足互联网设备和数据服务器的庞大需求。 由于供需失衡，内存芯片价格在过去一年翻了一番。记忆芯片参与者的股价平均高于2016年最近周期底部的155%。SK海力士周二表示，其第二季度净利润同比飙升763%至2.5万亿韩元(22亿美元)。 记忆芯片热潮正在推动三星发布创纪录的季度收益，这可能使其成为全球最赚钱的非金融公司。尽管上个季度通常是iPhone制造商盈利最慢的季度，但苹果6月季度营业利润为121亿美元，可能会超过分析师周二预计的105亿美元。 三星在记忆芯片方面占主导地位的种子近十年前播种下，当时行业周期已经过去了。 Bajarin说，2008年，产能过剩加上全球金融危机，迫使许多供应商摆脱闪存。但是，在其他人退缩的同时，三星却选择加大投入。 “他们对记忆芯片非常重视战略。” Bajarin说，“他们认为这是一个很大的机会。” 今天，三星电脑和数据中心服务器的Dram内存和NAND闪存芯片的营业利润率估计分别超过了60%和45%。该公司在一系列半导体方面大量投入资金，今年的资本支出估计为125亿美元，但最近的大部分投资都是在NAND芯片、智能手机、固态硬盘和相机存储卡的主要存储器。 “有大量的设备和端点需要记忆芯片并保持强劲需求。” Blaber说， “三星具有巨大的优势，因此其成本基础具有更大的竞争力。” 由于三星在过去十年中将资源投入闪存，英特尔在同一时期的移动投资几乎没有取得重大成果。直到去年的iPhone 7为领先的智能手机，以调制解调器的形式拥有“内置英特尔”。 尽管失去了智能手机的热潮，但英特尔已经成功地捍卫了AMD等竞争对手在PC市场的份额，即使行业单位销量从今年巅峰时期的4亿台下滑到2.7亿台左右的电脑。英特尔在数据中心方面也有增长，在下一代云计算领域取得了重要的地位，并使其能够在业界处于领先地位，至少迄今为止。 由于英特尔和高通以及Nvidia等竞争对手等待智能手机之后的下一波增长，如今的物联网和人工智能等大肆宣传部门的收入仍然相对较小。去年，英特尔从物联网产生的收入为26亿美元，相比2015年增长了8%，但在2016年的总销售额为594亿美元中只占4%。 “我们没有得到[IoT]成为有意义收入来源的临界点。” Blaber说， “直到我们转型成功，你会期望三星超过英特尔的驱动力是真的。” 然而，Bajarin并不赞同，指出英特尔投资了一种新型高速内存3D XPoint。他说：“在两到三年之内，当英特尔以纯粹的收入来衡量领导地位时，你可能会再次看到这一点。” 无论哪种方式，闪存行业的美好时光都不会永远持续下去，特别是当中国企业急于赶上竞争激烈的行业时。预计将需要数年的时间才能成为一个大生产者，但是自2014年以来，中国已经花了1500亿美元来开发这个行业。 “过度投资，特别是中国的投资仍然是首要风险。” IHS Markit的高级主管Michael Howard表示，“过度投资，从而供应增长太快是对于Dram和NAND的最大威胁，这可能是一个关于什么时候，而不是如果可能的问题。”
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