IR同步降压式转换器可实现更高效率和散热表现

国际整流器公司(IR)日前推出30V同步降压式转换器芯片组，其中包括IRF6631控制MOSFET和IRF6638同步MOSFET。该芯片组采用双面冷却的IR基准DirectFET封装和最新的HEXFET MOSFET技术，可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信，以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。  IR中国销售总监严国富指出：“DirectFET芯片组不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率，还比采用3颗SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。”  该芯片组的每个器件都是为了使同步DC/DC降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低开关损耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能减少传导损耗及反向恢复电荷。  IRF6631控制FET的栅极电荷为12nC，电阻栅极电荷(99.6mohm snC)优值系数比先前的产品减少了16%。IRF6638 DirectFET同步FET在4.5V时可提供3.0mohm的典型导通电阻，在保持同一栅极电荷时，比现有的器件减少了12%。  IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却，使先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封装的器件均符合有害物质限制(RoHS)规定。