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德州仪器推出4A高速MOSFET驱动器,有效简化电源设计

   日期:2018-08-21     来源:百度    浏览:185    评论:0    
核心提示:德州仪器日前宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计,如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率
德州仪器日前宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计,如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的DC/DC转换器等。 TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极,从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI),在7V至8V电压范围内,每相位电流超过40A时器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。该驱动器的其他特性还包括低阻抗吸入(典型值为0.4欧姆)与源电流(典型值为1欧姆)功能 ;可接受宽泛的电压输入信号范围(3V至24V范围);单引脚上支持Space-saving(输入)与PowerGood(输出)信号;独特的输入级可与所有业界标准的模拟与数字控制器相兼容;提供针对窄占空比信号的智能管理功能。 TI电源控制业务部的产品线经理LarrySpaziani指出:“电源系统设计人员在采用5V与12V标准驱动器的过程中不断要求实现更高的工作效率与性能。采用TPS28225的几家顶级电源客户不仅将功率效率提高了3%到8%,而且还提高了开关频率,减小了模块尺寸,并显著改善了瞬态响应。” 针对较低栅极驱动器,驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于阈值电平,以确保高dV/dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。TPS28225提供的三态脉宽调制(PWM)输入与TITPS40091等所有多相控制器相兼容。断电模式则能使负载免受反向输出电压的影响。 TPS28225 MOSFET驱动器现已投入量产,可通过TI及其授权分销商订购获得。该器件采用低成本的8引脚SOICDFN封装与散热增强型3毫米×3毫米8引脚DFN封装两种封装版本。批量为1,000片时的建议零售单价为0.60美元。
 
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